今日（5月27日），国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头——长鑫科技集团股份有限公司（下称： “长鑫科技”）顺利通过科创板上市委审议，即将登陆资本市场。
作为科创板首单 “预先审阅” 项目、拟募资295亿元的硬科技巨无霸，长鑫科技此次过会恰逢其成立十周年之际，不仅是企业自身发展的里程碑，更标志着中国存储芯片产业打破海外长期垄断、迈向自主可控的重要一步。
从获受理到过会用时不到5个月
从科创板IPO受理到过会，长鑫科技用时不到5个月。
作为2025年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO“预先审阅机制”申报上市的公司，长鑫科技上市审核流程特殊、优先级高，大幅缩短上市周期的同时，也避免了因过早披露业务技术信息，而带来的同业针对性竞争。
从交易所此前多轮问询来看，关切主要聚焦行业周期、技术差距、盈利可持续性三大核心，均直击DRAM产业痛点与企业发展关键。
对此，长鑫科技在问询回复中表示，DRAM行业受市场供需波动影响较大，具有显著的周期性特征。同时，由于DRAM市场供给端高度集中，三星电子、SK海力士及美光科技三家厂商占有绝大部分市场份额，各家资本开支较为集中，新增或缩减产能决策往往同步释放从而加剧行业的周期性特征，使得DRAM市场价格呈现显著的波动性。DRAM产品标准化程度较高，公司参考市场价格进行产品的销售定价，市场价格的波动对公司产品单价及收入产生直接影响进而影响公司利润。
三星电子、SK海力士、美光科技已历经数十年发展，具有技术先发优势和成本优势，抵御风险及市场冲击的能力更强。而长鑫科技发展起步较晚，仍处于产能建设及爬坡阶段，而新建产线的产能爬坡通常需要多个季度，新建晶圆厂从资本开支到产能释放更是需要长达数年，使得该公司现阶段在收入规模、产能规模、产品结构等方面与国际头部厂商仍存在一定差距，不仅生产成本相对较高，同时当市场竞争加剧、产品价格下降时相比头部厂商更容易出现产品负毛利或存货跌价损失增加。
2024年全球DRAM市场中，三星电子、SK海力士、美光科技的市场占有率分别为 40.35％、33.19％、20.73％，该公司全球市场占有率位列全球第四、中国第一。
交易所还在问询中，重点关注长鑫科技与上述几家海外龙头的技术差距及产业国产化进展。
长鑫科技已实现DDR5/LPDDR5X量产，填补国内通用DRAM空白，但HBM（高带宽存储）与三星、SK海力士仍存差距。
长鑫科技表示，经过多年发展，公司已成为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，已形成DDR、LPDDR两大主流产品系列布局，并且各系列均能提供当前市场最先进的DDR5、LPDDR5/5X产品，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域，主要产品性能已达到国际先进水平，具备较强的产品竞争力。
2025年下半年起，AI算力爆发带动存储价格暴涨，长鑫科技首次迎来年度业绩扭亏。2025年全年公司实现归母净利润18.75亿元，至2026年一季度，该公司归母净利润达247.62亿元，日均盈利超2.75亿元。
在上交所问询中，要求对长鑫对未来盈利前景、未来发展不确定性因素等作出披露。
长鑫科技表示，DRAM作为人工智能算力系统的核心枢纽，随着人工智能快速发展，相关基础设施投资高速增长，DRAM的市场需求呈现爆发式增长，是2025年下半年以来公司业绩增长的主要原因之一。
然而，DRAM行业公司业绩易随周期性影响波动。以三星电子、SK 海力士、美光科技为代表，这些公司起步相对较早，经过多年的发展积累，构筑了较强的规模、产品与技术优势，在行业周期波动中具备了一定的抗周期性波动风险能力。
不过长鑫科技也表示，随着产能持续释放，该公司产能规模快速追赶国际前三家厂商，竞争力持续增强，同时随着产品销量实现高速增长，具备了较强的抗周期波动风险能力。因此当前市场预期向好的背景下，该公司预计2026年或2027年实现盈利具有合理性和审慎性。
股东名单豪华 众多A股公司或将受益
由于采用IDM模式的存储芯片厂商，前期生产与研发投入极为高昂，长鑫科技发展历经多轮融资，最终形成了规模庞大、结构多元的股东阵营。
长鑫科技无控股股东和实际控制人。长鑫科技第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。
在长鑫科技的股东名单中，囊括了国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、安徽省投资集团、国调基金等国资背景股东。
同时，还有兆易创新这样的产业资本与之深度绑定，美的资本、小米、阿里、腾讯等互联网及消费电子巨头也现身股东名单。
此外，长鑫科技前期投资者还包括招商资本、君联资本、安元基金、基石资本、燕创资本、兰璞投资、云锋基金、燕园创投、铭盛资本、前海母基金、华富嘉业等一众知名市场化的投资机构。
长鑫科技上市前夕，因多家上市公司旗下基金此前曾对长鑫参股出资，市场由此衍生出长鑫科技相关概念板块，从长鑫科技辅导备案至上会，每当其上市进展更新，都会牵动市场的高度关注。
长鑫科技最新的招股说明书中，招商证券、华安证券、中信建投、方正证券及中金公司五家券商现身，分别通过旗下子公司或参股基金入股长鑫科技。考虑到长鑫科技上市后或即迈入万亿市值，以上几家券商股权账面价值预计将对净利润数据带来大幅增益，券商股也因长鑫IPO进程推进，受到市场资金追捧。
另外自今年以来，多家上市公司透过投资者互动平台等渠道，披露与长鑫科技的股权投资关联。
除兆易创新外，正帆科技、上峰水泥、合肥城建、合百集团、中山公用等多家A股公司前后透露曾通过旗下私募基金对长鑫科技参股。
兆易创新在2024年披露的公告显示，其以自有资金15亿元参与长鑫科技融资后，增资完成后持有约1.88%的股权。正帆科技则早于2025年7月便在互动平台表示，正帆对长鑫存储有早期投资。正帆科技是长鑫存储的长期合作伙伴和重要供应商，跟长鑫合肥、北京、上海厂均有合作。上峰水泥也于2025年10月在互动平台表示，公司通过私募股权投资基金上海君挚璞创业投资合伙企业（有限合伙）向长鑫科技投资了2亿元，间接持股比例约0.15%。
朱一明的硬核造芯与突围之路
在国产DRAM从“卡脖子”到突围的浪潮中，朱一明是绕不开的核心人物。其一手缔造兆易创新，成为“国产存储设计第一股”；另一手创办长鑫科技，打破三星、SK 海力士、美光近四十年的DRAM垄断，成为全球第四大内存厂商。
1972年，朱一明出生于江苏盐城阜宁的普通家庭，家境清贫却天赋卓绝。17 岁时，他以全县高考第二名的成绩考入清华大学物理系，五年内拿下本科、硕士学位，展露技术天赋。
1997年，朱一明赴美深造，进入纽约州立大学石溪分校攻读电子工程硕士，毕业后先后入职Ipolicy Networks Inc.、Monolithic System Technologies Inc.公司，在行业内从资深工程师做到项目主管，手握百万年薪、定居加州。但优渥生活从未磨灭初心，朱一明在行业研究历练多年，其亲眼见证存储产业从美国转移至日韩、中国台湾，也深知中国每年千亿级存储芯片进口的“卡脖子”困境，深刻认识到，中国不能“无芯”，“无芯就是无魂。不掌握核心技术，国家的强盛只是建立在沙滩上”。
2004年，在积累了丰富经验之后，朱一明决定回国创业，开启造芯之路。
朱一明对存储产业广为流传的一段论断是，如果把计算机比喻为皇冠，CPU是皇冠上的明珠，存储器就是皇冠的底座，底座自然要更多的黄金珠宝。存储器的市场是IC产业里最大的，任何一个新工艺诞生，它要做的第一个东西都是存储器。随着半导体工艺走向深亚微米时代，各类存储器在集成电路中所占的比重逐渐增大，谁领导了存储器技术，谁就能称雄整个集成电路产业。
2005年，在北京清华科技园一间毛坯房里，朱一明创立兆易创新前身 “芯技佳易”，启动资金仅凑到92万美元，创业初期堪称“地狱开局”。为此在战略选择上，朱一明避开巨头扎堆的DRAM赛道，选择相对小众的NOR Flash闪存领域，直到2016年，兆易创新登陆A股上交所主板，成为国产存储第一股。如今，兆易创新已经成长为全球第二大NOR Flash供应商、国内领先MCU芯片企业，最新市值达3600亿元。
世人眼中的“功成名就”后，朱一明毅然转身，选择与合肥市政府联手，在2016年5月成立长鑫科技，目标直指被海外垄断的DRAM赛道，项目总投资超500亿元。
2018年7月，朱一明辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼CEO，并立下“军令状”：长鑫盈利前，绝不领一分工资、一分奖金。至2025年长鑫科技首次实现年度盈利前的八年时间当中，长鑫持续亏损，受到外界质疑“中国造不出DRAM”，但朱一明咬牙坚持。
2026年5月，在长鑫科创板上会在即，朱一明释出一份A股史上最大规模的个人股权激励。
长鑫科技更新后的招股书显示，朱一明自愿作出承诺，将其持有的合肥集鑫肆拾壹号企业管理合伙企业（有限合伙）合伙份额中的50%，约有7.68亿股，在长鑫科技上市满36个月后的10个自然年度内，全部分配给长鑫科技及其并表子企业的在职员工，用于员工激励。
值得关注的是，激励对象不包含朱一明本人。
按市场给出的2万亿元市值保守估算，激励市值或超200亿元，将创A股个人股权激励纪录。
与此同时，朱一明还承诺了超长股份锁定，即在长鑫科技上市后的第一个十年，不转让所持股份，在上市满10年后的第2个十年中，每年最多减持上一年末剩余锁定股份总数的20%。这一超长股份锁定期安排在A股历史上也较为罕见。
有熟悉长鑫科技的投资人向《科创板日报》记者表示，国产存储的高端化发展已进入从突破到放量的关键阶段，前景十分广阔，而以长鑫科技为代表的国产存储企业，已经从跟随者向并跑者，乃至未来领跑者的角色转变。
在技术层面，以国内实现量产的DDR5内存芯片切入主流服务器供应链为代表，国产DRAM已在产品代际上实现与国际主流接轨；产业层面，从存储介质、芯片到系统，国内已实现全链条的自主突破，产业链协同和自主可控能力持续增强；市场层面，AI算力、数据中心建设以及智能终端普及，对HBM、DDR5等高端存储产品形成了强劲且持续的需求拉动。
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